Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0116U001445, ( 0218U100070  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Наноструктуровані напівпровідникові гетеропереходи та діоди Шоткі для електроніки, оптоелектроніки та сонячної енергетики Керівник роботи Мар'янчук Павло Дмитрович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 26-02-2016 Організація виконавець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Опис роботи Мета роботи є: одержання наноструктурованих гетеропереходів та діодів Шотткі шляхом напилення тонких плівок TiO2, TiN, ZnO, SnO2, ITO, Ni, Cr, Co, Nb, Mo, W, графіту на масиви кремнієвих нанодротів та напівпровідникових кристалів з модифікованою поверхнею CdTe, Cd1-хZnхTe, Hg3In2Te6 з заданими і відтворюваними електричними, фотоелектричними і газосенсорними властивостями; розробка сукупності неруйнуючих поляризаційно-фазових методів діагностики їх структури; встановлення закономірностей протікання фізичних процесів у створених фоточутливих структурах у залежності від конструктивних особливостей і технологічних процесів, а також розробка нових та покращених методів аналізу електричних і фотоелектричних властивостей наноструктурованих напівпровідникових гетеропереходів і діодів Шотткі, покращення їх фотоелектричних параметрів. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити