Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0116U005667, ( 0216U010324  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Теоретичне та експериментальне дослідження механізмів струмопереносу в омічних контактах до n+ та n+-n-Si з сильним виродженням електронів в приконтактній області Керівник роботи Конакова Раїса Василівна, Дата реєстрації 16-11-2016 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Мета проекту полягає у розробці нового механізму формування омічних контактів в структурах метал-напівпровідник з високою щільністю структурних дефектів в приконтактній області напівпровідника. Актуальність даної проблеми полягає в теоретичному поясненні аномальної температурної залежності питомого контактного опору омічних контактів. Це дозволить поглибити представлення про механізми струмопереносу в омічних контактах при реалізації високої щільності протяжних дефектів в приконтактній області напівпровідника. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
Теоретичне та експериментальне дослідження механізмів струмопереносу в омічних контактах до n+ та n+-n-Si з сильним виродженням електронів в приконтактній області
Керівник: Конакова Раїса Василівна. Теоретичне та експериментальне дослідження механізмів струмопереносу в омічних контактах до n+ та n+-n-Si з сильним виродженням електронів в приконтактній області. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0116U005667
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку