Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0117U003688, ( 0217U006689  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка нових технологічних принципів створення планарних композиційних наноструктур на основі оксиду кремнію з реактивним імпедансом індуктивного типу Керівник роботи Євтух Анатолій Антонович, Дата реєстрації 04-09-2017 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Розробка нових фізико-технологічних принципів формування планарних безвиткових наноструктур напівпровідник/SiO2 з реактивним імпедансом індуктивного типу на основі наногранулярних композиційних плівок оксиду кремнію, що містять наночастинки окислених перехідних металів або кремнію Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити