Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0117U007006, ( 0217U004894  0217U007009  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Новітні світлодіодні гетероструктури на основі наноструктур n-ZnO та епітаксійних шарів p-GaN для високоефективних ультрафіолетових джерел випромінювання та енергоощадних систем освітлення Керівник роботи Ніколенко Андрій Сергійович, Дата реєстрації 12-09-2017 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Метою науково-дослідної роботи є розробка нових багатофункціональних гетероструктур на основі наноструктур n-типу оксиду цинку (ZnO) та епітаксійних шарів p-типу нітриду галію (GaN), з'ясування особливостей формування їх просторової будови і фізичних властивостей та вироблення рекомендацій щодо їх практичного використання. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити