Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0118U004150, ( 0218U100023  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології підвищення радіаційної стійкості кристалів Cd(Zn)Te для збільшення радіаційного ресурсу детекторів іонізуючого випромінювання на їх основі Керівник роботи Насєка Юрій Миколайович, Дата реєстрації 28-03-2018 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Оптимізація та вдосконалення технологічних процесів спрямованих на підвищення опірності кристалічної гратки детекторних кристалів Cd(Zn)Te до впливу іонізуючого випромінювання та високої температури Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
Розробка технології підвищення радіаційної стійкості кристалів Cd(Zn)Te для збільшення радіаційного ресурсу детекторів іонізуючого випромінювання на їх основі
Керівник: Насєка Юрій Миколайович. Розробка технології підвищення радіаційної стійкості кристалів Cd(Zn)Te для збільшення радіаційного ресурсу детекторів іонізуючого випромінювання на їх основі. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0118U004150
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16


Роздрукувати цю сторінку