Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0118U004151, ( 0218U100038  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Новітні світлодіодні гетероструктури на основі наноструктур n-ZnO та епітаксійних шарів p-GaN для високоефективних ультрафіолетових джерел випромінювання та енергоощадних систем освітлення Керівник роботи Ніколенко Андрій Сергійович, Дата реєстрації 28-03-2018 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Метою науково-дослідної роботи є оптимізація та вдосконалення технологічних процесів вирощування та процесування гетероструктур на основі наноструктур n-типу ZnO, сформованих на підкладках p-типу GaN методами гідротермічного хімічного синтезу та осадження з парової фази, та дослідження їх оптичних, структурних та електрофізичних характеристик для покращення їх світловипромінювальної ефективності. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити