Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0119U001986, ( 0220U104895  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технології виготовлення епітаксійних структур арсеніду галію та діодів Ганна на їх основі для НВЧ електронних систем. Керівник роботи Круковський Семен Іванович, Доктор технічних наук Дата реєстрації 11-09-2019 Організація виконавець Науково-виробниче підприємство "Електрон-Карат"-дочірнє підприємство ПрАТ "Концерн-Електрон" Опис роботи Метою роботи є розроблення технології вирощування епітаксійних структур на базі GaAs з підвищеною однорідністю електрофізичних параметрів для діодів Ганна, які є ключовим комплектуючим елементом в сучасних високоточних системах радіолокації, навігації, комунікації та безпеки, у тому числі військового призначення, а також медичній фізіотерапевтичній апаратурі НВЧ-терапії. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити