Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0119U103960, Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження CdS, CdTe, InP, GaAs структур для виготовлення фотоварикапів з високим коефіцієнтом перекриття ємності Керівник роботи Олійник Остап Олегович, Циганок Борис Архипович, к.т.н. Дата реєстрації 18-12-2019 Організація виконавець Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" Опис роботи Метою роботи є розробка фізико-топологічної моделі фотоварикапу та реалізація на її основі пристрїв, які будуть змінювати свою ємність в широкому діапазоні в залежності від інтенсивності опромінення. Проведення додаткових досліджень фотоелектричних явищ приконтактної області між напівпровідниками CdS, CdTe, InP, GaAs та напиленою металізацією за використанням Al, Au, Ti, In. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити