Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0122U000605, ( 0223U000385  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Фізико-хімічні аспекти формування напівпровідникових халькогенідних нанокристалів різної морфології у системах Bi(Sn)–As–S та Ag–In(Ga)–S і модифікація їх характеристик зміною технологічних параметрів одержання та іонізуючим випромінюванням Керівник роботи Ажнюк Юрій Миколайович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 26-01-2022 Організація виконавець Інститут електронної фізики Національної академії наук України Опис роботи З’ясування умов формування напівпровідникових нанокристалів Bi2S3, SnS2 у матрицях на основі аморфного As2S3 в об’ємному та плівковому виді та нанокристалів системи Ag–In(Ga)–S у колоїдних розчинах і матрицях органічних полімерів та встановлення можливостей модифікації їх фізичних характеристик зміною технологічних параметрів одержання та впливом зовнішніх факторів, зокрема іонізуючим випромінюванням. Додано в НРАТ 2024-12-09 Закрити
НДДКР РК
Керівник: Ажнюк Юрій Миколайович. Фізико-хімічні аспекти формування напівпровідникових халькогенідних нанокристалів різної морфології у системах Bi(Sn)–As–S та Ag–In(Ga)–S і модифікація їх характеристик зміною технологічних параметрів одержання та іонізуючим випромінюванням. Інститут електронної фізики Національної академії наук України. № 0122U000605
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18