Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0200U001281, 0195U024515 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження управління рекомбінаційними процесами та явищами переносу носіїв в напівпровідниках (А2В6, А3В5 і Si) з метою оптимізації параметрів напівпровідникових приладів (світловипромінюючих, фотоприймачів, сонячних елементів, тензодатчиків) Назва етапу роботи Керівник роботи Шейнкман Мойсей Кивович, Дата реєстрації 02-02-2000 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Роботу присвячено встановленню механізмів впливу різних зовнішніх факторів, в тому числі технологічних, на рекомбінаційні процеси та явища переносу в напівпровідниках А2В6, А3В5 та Si, розробці нових технологічних методів модифікації характеристик матеріалів та приладів на їх основі. При використанні різноманітних методів досліджень показано, що: декорування дислокацій точковими дефектами в кристалах CdS приводить до розмиття краю фундаментального поглинання внаслідок формування хвостів густини станів у придислокаційних областях, зміни форми спектра крайової люмінесценції і деградації лазерів з електронним збудженням. Представлено аналіз перерозподілу заряджених точкових дефектів у напівпровіднику, що знаходиться в електричному полі, а також можливості вилучення рухомих донорних дефектів з об'єму кристалу під дією електричного поля. Показано, що квазіелектричні поля, пов'язані з градієнтом концентрації домішок, підвищують ефективність і стабільність властивостей фотоперетворювачів на основі поверхнево-бар'єрних структур А2В6 із тонкими варизонними шарами. Встановлено, що речовини, розташовані на поверхні кремнієвих кристалітів, беруть участь у процесах поглинання світла збудження; утворення центрів безвипромінювальної рекомбінації є основною причиною падіння інтенсивності люмінесценції лише при термообробці зразків. Теоретично обгрунтовано можливість ефективної роботи ряду нових типів тензочутливих мікроелектромеханічних перетворювачів на основі кремнію. Розроблено технологію створення датчиків тиску на основі ефекту тензоерс та мікрофонів. Одержані результати можуть бути використані для вдосконалення технології одержання напівпровідників, а також при виготовленні різних оптоелектронних приладів та сенсорів. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити