Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0200U001285, 0195U010994 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження фізичних процесів на межах поділу (та в об'ємі прошарку) тонкоплівкових напівпровідникових і високотемпературних надпровідникових систем з зовнішнім та внутрішнім діелектричними шарами Назва етапу роботи Керівник роботи Лисенко Володимир Сергійович, Дата реєстрації 04-10-2000 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Було досліджено системи КНІ, тонкі плівки ВТНП з метою вивчення процесів переносу і захоплення заряду в них при сильних електричних полях та під дією іонізуючої радіації та електричної інжекції за допомогою електрофізичних методів в діапазоні температур від 4 до 700К. Встановлено, що системи КНІ, виготовлені методом лазерної зонної рекристалізації, мають головні електрофізичні характеристики близькі до об'ємного кремнію; високу радіаційну та термопольову стабільність. Розроблено модель, яка пояснює головні особливості роботи КНІ МОН транзисторів при високих температурах. Вивчено вплив електричного поля на процеси перенесення заряду у плівках високотемпературних надпровідників. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити