Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0200U001323, 0195U010991 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослiдження механiзмiв структурної i компонентної модифiкацiї матерiалiв пiд дiєю зовнiшнiх чинникiв i створення низькотемпературних технологiй приладiв i пристроїв оптоелектронiки” Назва етапу роботи Керівник роботи Свєчніков С.В., Дата реєстрації 04-02-2000 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Досліджено процеси та визначено механізми інжекційно-термічної та радіаційно (лазерно)-стимульованої модифікації фізичних параметрів багатошарових оптоелектронних приладів з потенціальними бар’єрами, особливості оптичних та фотоелектричних явищ в таких низькороз-мірних структурах поляритонної оптоелектроніки як надгратки, нанокристали металу, дифракційні гратки на поверхні напівпровідника. Виготовлено макети поляритонних сенсорів рідких середовищ, фоточутливих та світловипромінюючих структур, поверхневого планарного інтерферометра. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Свєчніков С.В.. Дослiдження механiзмiв структурної i компонентної модифiкацiї матерiалiв пiд дiєю зовнiшнiх чинникiв i створення низькотемпературних технологiй приладiв i пристроїв оптоелектронiки”. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0200U001323
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14