Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0200U001414, 0195U010992 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка фізико-хімічних основ технологій створення та функціональна діагностика кристалів i структур /приладів/ для реєстрації та перетворення енергії інфрачервоного випромінювання на базі напівпровідникових сполук i вузькощілинних твердих розчинів Назва етапу роботи Керівник роботи О.В.Любченко, Дата реєстрації 16-02-2000 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єкти досліджень: вузькощілинні тверді розчини CdхHg1-хTe (x>0,3), епітаксійні фоточутливі структури CdHgTe/CdTe, бінарні сполуки CdTe, InAs, InSb, діодні фоточутливі структури p-InAs/n- InAs. Мета роботи: пошук та наукове обгрунтування фізико-хімічних та технологічних процесів виготовлення та оптимізації структурних i функціональних параметрів IЧ-фоточутливих напівпровідникових матеріалів i р-п-структур. Методи досідження: реєстрація та аналіз структурних, електрофізичних, оптичних i фотоелектричних характеристик матеріалів, функціональних параметрів діодних та багатошарових структур. Технолопчні операції: планарне та мезахімічне травлення, хіміко-динамічне формоутворення елементів, фізико-технологічні обробки - термічні, лазерні, термо-акустичні. Фундаментальні дослідження: структурночутливих властивостей CdхHg1-хТе (х>0,3) дозволили виявити нові способи стабільної активації фотопровідності, встановити механізми та виробити фізичні критерії обмеження параметрів фоточутливост і точковими та просторовими дефектами гратки (дислокації, кластери, міжфазні та малокутові межі), встановити природу трансформації дефектної структури, стимульованої зовнішними фізичними полями - термічними, лазерними, акустичними. Експериментально досліджено характер фізико-хімічної взаємодії InAs, InSb з різними багатокомпонентними активними середовищами (травниками), а також з деякими металами в широкому температурному інтервалі, встановлено механизм та характер розчинення вказаних напівпровідникових матеріалів в різних розчинах мінеральних кислот, оптимізовано склади травниив для різних стадій обробки напівпровідникових матеріалів i створено надійні омічні контакти для InAs, InSb. Розроблено технолопчні операції та відповїдне нестандартне обладнання для "бездефектної" хіміко- динамічної обробки поверхні кристалів А2В6 (CdTe, CdHgTe) та А3В5 (InAs, InSb), створено фоточутливі елементи для IЧ-діапазону (3-5 мкм) з параметрами, що відповідають сучасним стандартам. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити