Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0200U001767, 0100U000905 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив центрів проміжного захоплення на електрофізичні характеристики та гамма чутливість напівпровідникових детекторів на основі сполучень CdTe-ZnTe Назва етапу роботи Керівник роботи Гальчинецький Л.П., Дата реєстрації 28-03-2000 Організація виконавець Науково-технологічний центр радіаційного приладобудування НТК "Інститут монокристалів" НАН України Опис етапу У процесі виконання роботи досліджено можливість отримання високоякісних кристалів CZT з сировини зі зниженим ступенім чистоти. Вирощування кристалів CZT з використанням технологічних прийомів: спеціального високо щільного графітового матеріалу з низьким коефіцієнтом термічного розширення для ростового тигля; синтез шихти відбувається у запаяних кварцових ампулах; кристали вирощуваються на запалі, що дає змогу отримати досконалі по структурі, бездефектні з високими значеннями (( та ((( детекторів із CZT для роботи у лічильному та спектрометричному режимах. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити