Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0200U003474, 0197U016514 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження фізичних механізмів формування профілей розподілу атомів віддачі та радіаційних дефектів при взаємодії заряджених та високоенергетичних частинок з шаруватими структурами на основі напівпровідників Назва етапу роботи Керівник роботи Пеліхатий М., Дата реєстрації 15-05-2000 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження - шаруваті структури на основі кремнію, германію и плівок металів, а також мікроелектронні структури на їх основі. Мета роботи - визначення впливу гамма-променів, нейтронів на розподіл домішок та на дефектоутворення, що виникає в металевих та напівпровідникових плівках та структурах на їх основі. . Побудована теоретична модель з визначення характеристик частинок, що покидають металічну плівку і імплантуються в напівпровідниковий матеріал. Ця модель дозволяє визначити розподіл частинок, що імплантуються в напівпровідник при бомбардуванні шаруватої структури високоенергетичними частинками. Експериментально показана можливість формування різких профілів домішок на значних глибинах при використанні радіаційно-стимульованих процесів. Показана можливість аналізу розподілу домішок на значних глибинах напівпровідника за допомогою методу зворотнього розсіювання. За допомогою оптичної мікроскопії зображення дефектів у світлому і темному полях, а також при освітленні під кутами 30-45 град. пока зано, що дефекти розміщуються не на поверхні плівок германію, а в їх об'ємній частині. Форма дефектів, що виявлена за допомогою оптичної мікроскопії, залежить від хімічного складу плівок, а їх величина - від товщини плівки германію. Дослідження за допомогою растрової електронної мікроскопії дозволило виявити тонку структуру дефектів, що виникають при вибуховій кристалізації плівок германію. Розглянута роль впливу радіаційних дефектів на параметри напівпровідникових резисторів. Показано, що зміна форми сигналу на резисторах інтегральних схем залежить від дози опромінення. Проаналізовано механізми зміни форми сигналу, визначено тип радіаційних дефектів, відповідальних за такі зміни. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити