Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0200U003744, 0197U001901 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні явища в нестехіометричних напівпровідникових фазах Назва етапу роботи Керівник роботи Рогачова Олена Іванівна, Дата реєстрації 11-09-2000 Організація виконавець Харківський державний політехнічний університет Опис етапу Проведені експериментальні та теоретичні дослідження впливу дефектів нестехіометрії на кристалічну структуру, механічні, електрофізичні і теплові властивості, енергетичний спектр напівпровідникових фаз IV-VI та I-III-VI(2). Дана інтерпретація отриманих результатів з урахуванням механізму дефектоутворення та взаємодії дефектів нестехіометрії між собою. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Рогачова Олена Іванівна. Фізичні явища в нестехіометричних напівпровідникових фазах. (Етап: ). Харківський державний політехнічний університет. № 0200U003744
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14