Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0200U003887, 0197U008989 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження електронних та іонних процесів на границі розподілу та в об"ємі напівпровідникових бар"єрних структур з метою створення ефективних оптичних приладів Назва етапу роботи Керівник роботи Смитнина В.А., Дата реєстрації 04-12-2000 Організація виконавець Одеський державний університет ім. І.І. Мечникова Опис етапу Розроблено модель, яка з єдиних позицій пояснює явища пов"язані з переносом струму в області просторового заряду гетеропереходу. Створено сенсор зображення з внутрішнім підсиленням, що ефективно працює в оптичному та ренгенівському діапазонах Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити
НДДКР ОК
Дослідження електронних та іонних процесів на границі розподілу та в об"ємі напівпровідникових бар"єрних структур з метою створення ефективних оптичних приладів
Керівник: Смитнина В.А.. Дослідження електронних та іонних процесів на границі розподілу та в об"ємі напівпровідникових бар"єрних структур з метою створення ефективних оптичних приладів. (Етап: ). Одеський державний університет ім. І.І. Мечникова. № 0200U003887
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку