Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0200U004608, 0197U015776 , Науково-дослідна робота Назва роботи Контактні явища в структурах на основі складних сполук напівпровідників А3В5 Назва етапу роботи Керівник роботи Аркуша Ю.В., Дата реєстрації 26-09-2000 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дoслідження - діоди Ганна різної структури. Мета роботи - вивчення фізичних процесів та вихідних характеристик діодів Ганна. Метод дослідження - метематичне моделювання на основі двохтемпературної моделі междолинного переносу електронів в діоді Ганна. Основні результати - досліджені діоди Ганна мм-діапазону с різною довжиною активної області. Була використана двухтемпературна модель напівпровідника для математичного моделювання фізичних процесів в діодах. Вивчені основні фізичні процеси, які впливають на вихідні характеристики діодів. Отримані енергетичні та частотні характеристики діодів. Всі пропоновані і досліджені діоди є новими та недостатньо вивченими напівпровідниковими приладами, які вимагають подальшого вивчення. Ті ідеї, які використовувались при розробці діодів і одержані результати їх дослідження свідчать о можливості створення високоефективних діодів Ганна в мм та субмм діапазонах з великою потужністю або широкою полосою ча стот. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити