Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0201U000804, 0102U000329 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології вирощування однорідних за складом, легування та дослідження електричних і фотоелектричних властивостей напівпровідників системи CdTe-ZnTe Назва етапу роботи Керівник роботи Цмоць В.М., Дата реєстрації 25-02-2001 Організація виконавець Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка Опис етапу Метод дослідження - дослідження температурних залежностей електропровідності, фотопровідності при різних інтенсивностях освітлення. Основні результати - отримано монокристали леговані хлором і ванадієм. Легування елементами ІІІ і VII груп приводить до зростання питомого опору кристалів, а також дає можливість змінювати їх тип провідності. Елементи ІІІ групи заміщають Cd або Zn в підградці, а елементи VII групи - заміщають Te, і "заліковують" їх вакансії. Слід відмітити, що зразки, леговані хлором володіють досить значною концентрацією дрібних центрів за рахунок чого в температурному інтервалі до температури 200 °К електропровідність більшості зразків майже не змінюється. Тим не менше такі зразки володіли досить значною фотопровідністю, кратність якої при кімнатній температурі була більшою10. Фізика напівпровідників. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити