Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0201U001587, 0197U016405 , Науково-дослідна робота Назва роботи Електричні властивості розупорядкованих напівпровідників та використання радіаційних ефектів при створенні напівпровідникових детекторів ядерних випромінювань Назва етапу роботи Керівник роботи Литовченко П. Г., Дата реєстрації 12-02-2001 Організація виконавець Науковий центр "Інститут ядерних досліджень" НАН України Опис етапу Досліджено електрофізичні властивості бінарних напівпровідників А3В5 та високоомного кремнію, розупорядкованих під дією ядерного опромінення. Показано дозиметричні можливості MOSFET-сенсорів в широкому інтервалі доз і енергій гамма-випромінювання. На основі кремнію, компенсованого літієм, розроблено неохолоджувані детектори гамма-випромінювання з енергетичною роздільною здатністю 30 кеВ. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити