Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0201U003793, 0100U003269 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вивчення вторинно-емісійних, адсорбційних та радіаційних процесів при бомбардуванні твердих тіл іонами середніх енергій стосовно задач мікро- та наноелектроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Коваль А.Г., Дата реєстрації 26-04-2001 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження — матеріали з різною електронною структурою: напівпровідники групи А3В5, в тому числі тверді розчини сполук А3В5, метал алюміній. Мета роботи — отримати відомості стосовно основних закономірностей і механізму вторинної іонної емісії (ВІЕ) матеріалів з різною електронною структурою, з'ясувати вплив на процес ВІЕ електронної структури твердого тіла, електронної будови розпилених частинок; вплив субмоношарових покріттів кисню на фізичні характеристики ВІЕ; дослідити утворення радіаційних порушень у арсеніді галію під час опромінення іонами дейтерію. Методи дослідження — енергомас-спектрометрія вторинних іонів, термодесорбційна мас-спектрометрія. Досліджено енергетичні розподілення характерних вторинних іонів, що емітуються з поверхні напівпровідників А3В5, які є твердими розчинами сполук AlAs i GaAs, а також з поверхні алюмінію при бомбардуванні пучком іонів аргону. Вивчено також вплив на енергетичні розподілення тиску кисню у камері мішені. Енергетичні розподіли для атомарних іонів шир окі, простягаються від 0 до 2000 еВ; найбільш імовірні енергії вторинних іонів припадають на ділянку енергій 10-200 еВ; при цих енергіях у енергетичному спектрі спостерігаються розбіжності, які залежать від матеріалу. Підвищення тиску кисню приводить до змін, які узгоджуються з даними щодо адсорбційної активності цих матеріалів. З'ясовано, що при опроміненні арсеніду галію іонами дейтерію у зразку накопичуються структурні дефекти кристалічної решітки та імплантовані частинки пучка, що бомбардує. Встановлено, що при цьому утворюються комплекси точкових дефектів кристалічної решітки з дейтерієм. При наступному нагріванні після опромінення такі комплекси розпадаються, а звільнені частинки дейтерію дифундують до поверхні зразка та десорбуються у вакуум. Результати дослідження можуть бути використані при створенні нових матеріалів із заданими властивостями, для з'ясування загальних механізмів адсорбції газів і створення єдиної теорії цих процесів, а також у діагностиці твердих тіл на атомарному рівні; у конструкці йному матеріалознавстві. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити