Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0201U004984, 0197U003448 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження фізичних процесів в сенсорах на основі багатошарових контактних структур Назва етапу роботи Керівник роботи Кільчицька Світлана Сергіївна, Дата реєстрації 17-05-2001 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Досліджені структури метал-кремній з тонким шаром пористого Si, показано вплив товщини пористого Si на механізм проходження струму та спектр поверхневих станів. Встановлені основні закономірності чутливості структур надтонкий метал-GaAs до аміаку та парів води. Проаналізовано використання таких структур як сенсорів. Розраховані темнові та світлові струми р-n переходу з вбудованими шарами пористого Si та проаналізовано їх вплив на параметри сонячних елементів. Досліджено вплив селективних дифузорів на зовнішню квантову ефективність сонячних елементів Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити