Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0201U005576, 0101U000717 , Науково-дослідна робота Назва роботи Складні напівпровідникові діоди Назва етапу роботи Керівник роботи Горлей Петро Миколайович, Дата реєстрації 10-08-2001 Організація виконавець Чернівецький державний університет ім. Ю. Федьковича Опис етапу У роботі проведені дослідження з технології створення діодних структур на базі монокристалів телуридів кадмію і цинку, вивчення їх електричних і фотоелектричних властивостей, а також встановленню можливостей практичного застосування. Особливістю даної роботи є використання базових матеріалів з широким діапазоном зміни питомого опору і вмісту легуючих домішок та створення на їх основі випрямляючих структур різних типів: поверхнево-бар'єрних діодів (ПБД), р-n-гомо- та гетеропереходів. Ці фактори в сукупності з варіацією умов досліду (напруга, температура, спектральний склад освітлення і його рівень та ін.) дозволили виділити з великої кількості механізмів формування темнових і світлових вольтамперних характеристик (ВАХ) необхідний і детально його вивчити. Дослідження показали, що в діодах реалізуються практично всі можливі механізми проходження струму. Спектр фоточутливості визначається типом діода. Обговорено ефект різкого збільшення короткохвильової чутливості в р-n-переходах на базі Cd(1-x)Zn(x)Te<Cl >. Встановлено, що коефіцієнт ударної іонізації дірок на півтори порядки більший, ніж відповідний параметр для електронів. На високоомних підкладинках створено лабораторні зразки фотодетекторів, чутливих в діапазоні 1,5-4 еВ із внутрішнім підсиленням 10^3-10^5. На базі ПБД виготовлені сонячні елементи з к.к.д.13 % при 300 К в умовах освітлення АМ2. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити