Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0201U005577, 0101U000716 , Науково-дослідна робота Назва роботи Покращення якості сонячних елементів на основі монокристалічного кремнію та широкозонних сполук AIIBVI Назва етапу роботи Керівник роботи Горлей Петро Миколайович, Дата реєстрації 10-08-2001 Організація виконавець Чернівецький державний університет ім. Ю. Федьковича Опис етапу Проведено дослідження структурних змін у приповерхневих шарах монокристалічного кремнію в процесі формування прихованих під поверхнею аморфізованих шарів. Встановлено, що імплантація іонів фосфору з енергією 180 кеВ і дозою порядку 10^15 іон/cм^2 та наступний короткочасний температурний відпал при Т=500°С викликають значні структурні зміни в приповерхневих областях кремнію. Для структур, сформованих таким чином, характерна наявність значних напруг у напрямку, перпендикулярному границі розділу. Запропонована модель, яка якісно, а в ряді випадків і досить добре кількісно, описує всю сукупність наявних експериментальних результатів по дефектоутворенню у кремнії при його імплантації легкими іонами. На відміну від уже існуючих моделей, вона враховує процеси дисоціації складних дефектів. В рамках припущення про існування приповерхневого поглинаючого шару для вакансій за допомогою теорії груп Лі отримано вирази для просторових розподілів стаціонарних концентрацій вторинних дефектів. Промодельована поведінка н естаціонарної системи складних дефектів у кремнії в залежності від концентрації вакансійних пасток, густини іонного струму та енергії імплантованих атомів. Представлено результати дослідження системи еволюційних рівнянь, що описують процес водневої пасивації кремнію. З використанням теорії груп Лі визначено явний вигляд інфінітезимальних операторів, що допускаються системою при постійному коефіцієнті дифузії атомів водню у зразку. Проведено класифікацію інваріантних розв'язків і редукцію вихідної системи до систем звичайних диференціальних рівнянь. Продемонстровано можливість аналітичного розв'язання задачі про пасивацію. У рамках механізму розділення носіїв просторовими неоднорідностями обговорюється довготривала релаксація (ДР) кінетики фотоструму в компенсованих зразках Si<B,S> і Si<B,Rh>. Досліджено математичну модель утворення та розпаду комплексів (дивакансій), яка задовільно пояснює процеси, що протікають у напівпровіднику під впливом радіації. Вивчено стійкі режими поведінки даної моделі та отримано ч астковий точний розв'язок задачі для зміни концентрації дивакансій з часом. Обчислено залежності постійної часу процесу ДР від дози опромінення. Відмічено можливість прогнозування кінетики релаксації фотоструму в радіаційно опромінених матеріалах на основі отриманих результатів. Досліджено інтегральні та спектральні характеристики фоточутливих структур метал-CdTe. Встановлено, що попередній відпал базових підкладинок на повітрі при певних умовах приводить до суттєвого покращення параметрів фотоперетворювачів. На базі поверхнево-бар'єрних діодів виготовлено сонячні елементи з к.к.д. 13 % при 300 К в умовах освітлення АМ2. Методом пульверизації з наступним піролізом створено тонкі полікристалічні плівки CuInS2 і досліджено їх пропускання в залежності від технологічних умов. Показано, що параметри вирощених плівок при кімнатній температурі (концентрація та дрейфова рухливість основних носіїв, ширина забороненої зони, спектральна залежність коефіцієнта поглинання при енергіях від 1,42еВ до 1,58еВ) добре узгоджую ться з літературними даними. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити