Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0201U006010, 0197U003158 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження атомної та електронної структури атомарно чистих поверхонь Si(111), Si(110), Si(100) та їх модифікації домішками кисню та водню. Назва етапу роботи Керівник роботи Мельник П.В., Дата реєстрації 18-06-2001 Організація виконавець Київський національний унiверситет iм. Тараса Шевченка, кафедра загальної i молекулярної генетики Опис етапу За допомогою скануючої тунельної мікроскопії та ультрафіолетової фотоелектронної спектроскопії досліджено формування атомної та електронної структури, зміну роботи виходу при коадсорбції вісмуту, кисню та водню на поверхнях Si(111)-7x7, Si(100)-2х1 та Si(110)-16x2 з різним ступенем упорядкування. Показано, що напорошення Ві на найкращим чином упорядковані та розупорядковані іонами Ar досліджувані поверхні з різним ступенем упорядкування приводить до формування плівок вісмуту за механізмом Странського Крастанова Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити