Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0202U006633, 0100U000117 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка нових фізичних принципів діагностики і модифікації характеристик напівпровідникових матеріалів, структур та приладів Назва етапу роботи Керівник роботи ШЕЙНКМАН Моісей Ківович, Дата реєстрації 25-12-2002 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження - сполуки А2В6 (монокристали CdS, епітаксійні шари ZnSe/GaAs, ZnTe/GaAs), А3В5 та Si (монокристалічний та пористий кремній), структури на основі Si. Мета дослідження - з'ясування механізмів ряду процесів взаємодії об'ємних та поверхневих дефектів в напівпровідникових матеріалах з електричним полем, ультразвуковими коливаннями, тощо, природи флуктуаційних явищ в субмікронних приладах, механізмів нерівноважних процесів в Si структурах і тензорезисторах, природи нових тензорезистивних ефектів та їх використання для розробки нових приладів і методів контролю якості та модифікації характеристик матеріалів та структур. Методи дослідження - оптичні, люмінесцентні, фотоелектричні та електричні, ВІМС, РФС, ІЧ- поглинання, ЕПР, АСМ. Запропонований метод низькотемпературного експресного легування та очищення кристалів CdS домішками Cu і Ag на основі електродрейфу. Запропоновано метод виявлення присутності декорованих дислокацій в кристалах CdS на основі аналізу форми спектра крайової люмінесценції. Оптимізовані режими анодування та наступної обробки Si пластин, що дозволило одержати зразки пористого кремнію з зовнішнім квантовим виходом ~20%. Показано, що 1/f шум в над-судмікронних канальних МОН транзисторах має поверхневу природу і зумовлений пастками в підзатворному окислі. Розроблені фізичні основи інтегральних перетворювачів тиску з фізично інтегрованим перетворенням механічної напруги в зміну частоти вихідного сигналу. Розроблено технологічний цикл та одержано об'ємні кристали Ge1-xSix з 0<х<0,3 та 0,9<х<1,0. Пропозиції щодо розвитку об'єкта дослідження - вдосконалення технології одержання монокристалів та епітаксійних шарів; використання в якості сенсорів. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити