Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0203U000010, 0100U000119 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вивчення впливу надвисокочастотного випромінювання на утворення, розпад і відпал домішково-дефектних комплексів у гетерогенних структурах на основі сполук А3В5 Назва етапу роботи Керівник роботи Свєчніков С.В., Дата реєстрації 08-01-2003 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу В роботі досліджена роль термічних і атермічних факторів в трансфор-мації структурних і електрофізичних параметрів напівпровідникових матері-алів і структур при впливові на них мікрохвильового випромінювання різної тривалості (дозові залежності) і потужності. На прикладі арсенідгалієвих просторово неоднорідних тунельних діодних структур з d-шаром запропоно-вані, розраховані і експериментально перевірені моделі загального і локаль-ного розігріву напівпровідника при впливі на нього мікрохвильового випро-мінювання різної потужності і тривалості. Вивчений взаємозв'язок структур-но-фазових вимірів в матеріалах і гетеросистемах на основі сполук А3В5 (GaAs, GaP, InP) з їх електрофізичними параметрами, а також показана спі-льність механізмів і процесів, стимульованих НВЧ випромінюванням в спо-луки А3В5 і структурах SiO2-SiC6H, TiBx-n-SiC6H, Ta2O5-p-Si, ncSi/c-si i CdS. На основі проведених структурних, оптичних і електрофізичних дослі-джень встановлена закономірність впливу надвисокочастотного випроміню-ванняна утворення, розпад і відпал домішково-дефектних комплексів у гете-рогенних структурах на основі сполук А3В5 та інших технічно важливих на-півпровідників. Запропоновані рекомендації по використанню мікрохвильо-вих обробок в технологічних цілях. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити