Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0203U000011, 0100U000148 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні і фізико-технологічні основи створення напівпровідникових матеріалів і функціональних елементів для систем сенсорної електроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Венгер Євген Федорович, Дата реєстрації 08-01-2003 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єктом досліджень є напівпровідникові матеріали А4 (Si), А3В5 (GaAs, GaP), А2В6 (CdTe та його потрійні сполуки), тонкоплівкові гетероструктури з нанометровими і субмікронними активними шарами на їх основі, а також шари халькогенідних склоподібних напівпровідників, та різні функціональні елементи сенсорної електроніки. Метою досліджень було вивчення фізичних та фізико-технічних основ створення напівпровідникових матеріалів для сенсорів і функціональних елементів систем сенсорної електроніки. Для досягнення мети використовувались рентгено-структурний і хімічний аналіз, методи фізичної оптики, акустоелектронні ефекти, люмінесцентна спектроскопія, вивчення фотоелектричних і гальвано-магнітних явищ. Проведені теоретичні та експериментальні дослідження дозволили встановити вплив різних факторів на фізичні властивості сенсорних матеріалів, удосконалити технології вирощування матеріалів та створення функціональних елементів для систем сенсорної електроніки, розробити реєструючі середовища для оптичного запису інформації, голографії та електронно-променевої літографії, нові типи фотоперетворювачів, фотодіодів, діодних сенсорів температури. Отримані результати можуть бути використані в електронній промисловості для створення різноманітних високоякісних сенсорів. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити