Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0203U000015, 0100U000149 , Науково-дослідна робота Назва роботи Комплексні дослідження формування та еволюції дефектних структур технічно важливих напівпровідникових матеріалів (Ge, Si, SiC, сполук A2B6, A3B5), систем на їх основі в залежності від умов одержання і впливу технологічних факторів. Назва етапу роботи Керівник роботи Мачулін Володимир Федорович, Дата реєстрації 08-01-2003 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об єкт дослідження - монокристали Si,Ge, GaAs та тонкоплівкових систем. Мета роботи - дослідження структурної досконалості вказаних матеріалівта відхилень від стехіометрії бінарних кристалів з допомогою рентгенівських дифракційних методів і мікрорельєфу приладних структур з допомогою атомної силової мікроскопії. Метод дослідження - вимірювання інтегральних відбивних здатностей для структурних та квазізаборонених відбиттів і співставлення з розрахованими величинами по динамічній теорії розсіювання рентгенівських променів кристалами з однорідно розподіленими дефектами структури. Вивчені процеси коагуляції точкових дефектів при імплантації домішок, опроміненні кристалів нейтронами,взаємодії нестехіометричних дефектів з пружніми деформаціями; дефектна структура кристалів кремнію, що вирощувались в космосі; розвиток мікрорельєфу підчас швидкоплинних відпалів та інше. Результати досліджень по виконаній НДР можуть бути передані в заводські лабораторії підприємств, що виробляють напівпровідникові матеріали. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити