Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0203U000016, 0100U000118 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Назва етапу роботи Керівник роботи Сизов Федір Федорович, Дата реєстрації 08-01-2003 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Метою роботи є проведення комплексних експериментальних та теоретичних досліджень рівноважних та нерівноважних процесів у напівпровідникових структурах для інфрачервоної мікрофотоелектроніки, розробки методів їх одерження та технології обробок з метою оптимізації виготовлення і діагностики ІЧ приладів з параметрами, близькими до теоретично можливих. Методи досліджень: мікроструктурні дослідження, профілометрія, Оже-спектроскопія, метод вторинної мас-спектрометрії нейтральних частинок, фотолюмінісценція, стаціонарна і нестаціонарна фотоелектрична спектроскопія, спектроскопія оптичного пропускання, вольт-амперна спектроскопія, спектроскопія часу життя носіїв струму, хімічне та електрохімічне травлення напіпровідників, кінетичні вимірювання із застосуванням методу диску, що обертається, математичне планування експерименту, фізико-хімічне моделювання. Досліджені процеси формування і виготовлені двовимірні фотонні структури макропористого кремнію з метою розробки випромінювальних структур та теплових приймачів. Досліджено характер фізико-хімічної взаємодії CdTe, CdHgTe, ZnCdTe, InAs, InSb, GaAs та GaSb з розчинами систем на основі мінеральних і органічних кислот з метою отримання травильних композицій для хімічного полірування поверхні вищезгаданих хімічних з'єднань. Результати досліджень будуть використані для розробки та виготовлення нового покоління багатоелементних ІЧ фотоприймачів. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити