Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0203U000857, 0102U002086 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження ефекту фототермічного окислення напівпровідникових кристалів типу АIIBVI. Назва етапу роботи Керівник роботи Загоруйко Юрій Анатолійович, Дата реєстрації 20-03-2003 Організація виконавець НДВ "Оптичнi та конструкцiйнi кристали" НТК "Iнститут монокристалiв" Опис етапу Розроблена і виготовлена автоматизована установка для дослідження кінетики окислення напівпровідникових сполук АIIВVI методами термічного (ТО) і фототермічного окислення (ФТО). Установка дозволяє отримувати оксидні плівки заданої товщини і визначати товщину плівки безпосередньо у процесі її росту. Експериментально показано, що оксидні плівки, отримані методом ФТО (у порівнянні з плівками, отриманими методом ТО), мають більш досконалу кристалічну структуру, кращу адгезію з поверхнею кристала, більш високі коефіцієнти оптичного пропускання та термостабільність. Показана можливість використання покриттів із оксиду цинка, отриманих методом ФТО, в якості стійких однорідних термостабільних інтерференційних просвітлюючих покриттів для широкоспектральних оптичних елементів із кристалічного ZnSe. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити