Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0203U002092, 0100U001415 , Науково-дослідна робота Назва роботи Явища електронного переносу в шаруватих напівпровідниках Назва етапу роботи Керівник роботи Стахіра Йосип Михайлович, Дата реєстрації 29-01-2003 Організація виконавець Львівський національний університет імені Івана Франка Опис етапу Досліджувались кінетичні, термодинамічні та фотоелектричні властивості гетероструктур на основі шаруватих монокристалів-оксидів та інтеркальованих кристалів. На основі прведених теоретичних, експерементальних та технологічних досліджень механізмів створення гетероструктур та інтерфейсних шарів на поверхні шаруватих кристалів, встановлено температурні і енергетичні режими при яких утворюються гетероструктури. Отримані у роботі результати вказують на перспективність практичного використання каскадної гетероструктури n-Ga2Se3-p-GaSe-p-InSe завдяки широкому спектральному діапазону фоточутливості, який простягається від ІЧ (приблизно від 1,2 еВ) до УФ- області (понад 5еВ). Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити