Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0203U002104, 0100U001441 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження процесів дефектоутворення в широкозонних кристалах придатних для реєстрації рентгенівського та УФ випромінювання. Назва етапу роботи Керівник роботи Павлик Богдан Васильович, Дата реєстрації 29-01-2003 Організація виконавець Львівський національний університет імені Івана Франка Опис етапу Синтезовано новий матеріал 2Ga2O3-SnO2, який є чутливим до УФ та рентгенівського випромінювання. Досліджено його фотоелектричні та люмінесцентні властивості. Проведено аналіз процесів дефектоутворення в бета-Ga2O3 та твердих розчинах бета-Ga2O3, 2Ga2O3-SnO2. Досліджено вплив низькотемпературного лазерного відпалу на гальваномагнітні властивості монокристалічного n CdxHg1-xTe (x 0,2). Вплив лазерного випромінювання на фізичні властивості CdxHg1-xTe проаналізований на основі вимірювань ефекту Холла і питомої провідності, виконаних в температурному діапазоні 80 273 К на автоматизованій в стандарті КАМАК установці. Встановлено, що дія лазерного випромінювання спричиняє інверсію типу провідності: n тип переходить в p тип. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити