Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0203U002120, 0100U001408 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка багатоелементних фоточутливих структур ІЧ діапазону та оптимізація їх характеристик для систем теплобачення Назва етапу роботи Керівник роботи Писаревський Володимир Костянтинович, Дата реєстрації 29-01-2003 Організація виконавець Львівський національний університет імені Івана Франка Опис етапу Представлені результати теоретичного моделювання процесів переносу носіїв заряду у фоточутливих структурах. Показано можливість покращання характеристик фотоприймачів на основі епітаксійних шарів КРТ - зменшення зворотного струму шляхом створення нетрадиційних фоточутливих структур на основі варізонних напівпровідників та введення в базову область широкозонного шару. Вивчено ефект захоплення вільних носіїв заряду фотонами у тонких варізонних шарах. Досліджено фактори, які формують енергетичні діаграми та визначають параметри КТР фотоприймачів. На основі аналізу процесів дифузії ртуті в КРТ запропонований механізм конверсії типу провідності при іонно-променевому легуванні матеріалу р-типу провідності. Експериментально досліджено процеси контрольованого легування шарів КРТ миш'яком при ізотермічному рості методом випаровування-конденсація-дифузія (ВКД). На основі проведених досліджень вдосконалено технології створення КРТ фоточутливих елементів (ФЧЕ). Проведено аналіз впливу поверхні на характеристикифотоприймальних КРТ пристроїв. Показано можливість значного покращання параметрів ФЧЕ шляхом пасивації поверхні КРТ та нанесення захисних покриттів. Розроблені технології проведення цих процесів при температурах, які не впливають на характеристики фоточутливого матеріалу. На основі розроблених технологій реалізовані дослідні зразки діодних та фоторезистивних фоточутливих структур. Здійснено оптимізацію їх параметрів для роботи в складі бортового спектрометра ІЧ діапазону. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити