Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0203U002452, 0100U005493 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур з екстремальними параметрами, їх електронні властивості, фотоелектронні і оптичні ІЧ-прилади на них Назва етапу роботи Керівник роботи Раренко Іларій Михайлович, Дата реєстрації 13-05-2003 Організація виконавець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Опис етапу Розроблено фізико-технологічні основи одержання та вирощено кристали і плівкові структури н/п сполук груп A2B5, A3B5, A3B6, A2B6 з 3d-елементами та їх твердих розчинів. Розраховано основні електричні параметри бар'єрних структур, сформованих на вузькощілинних н/п. На основі вирощених кристалів створені зразки діодів, фотодіодів, оптичні елементи фоторефрактивних приладів та неселективних приймачів ІЧ-випромінювання в широких межах енергій. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити