Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0203U002561, 0101U002448 , Науково-дослідна робота Назва роботи Власні атомні дефекти в кристалах сполук А4В6 та їх роль у формуванні матеріалів для пристроїв ІЧ-техніки. Назва етапу роботи Керівник роботи Фреїк Д.М., Дата реєстрації 04-06-2003 Організація виконавець Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника Опис етапу Запропонована модель дефективної підсистеми кристалу їх одночасним існуванням одно- і двозараядних міжвузлових атомів і вакансій у металевій підградці халькогенидів свинцю. На основі аналізу загальної та "парціальних" умов електронетральності знайдено залежності концентрації дефектів і носіїв струму від тиску халькогену та температури при реалізації двотемпературного відпалу. Встановлено, що не зважаючи на більшу концентрацію частково компенсованих двократно заряджених дефектів, суттєву роль у зміні концентрації носіїв струму відіграють також однократно іонізовані пари Френкеля. Уточнено значення контакт рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів в халькогенідах свинцю і телуриді олова на основі як теоретичних розрахунків з використання статистики для невироджених напівпровідників, так і апроксимації експериментальних результатів визначення границь області гомогенності теоретичними моделями. При теоретичних розрахунках враховано аномальний хід температурної залежності ширини забороненої зони досліджуваних матеріалів. Розраховані для широкого інтервалу температур границі гомогенності халькогенидів свинцю і телуриду олова. В основу розрахунку покладена методика заснована на розгляді термодинамічної рівноваги пари і твердої фази. Досліджено вплив вакуумного відпалу на приповерхневий шар плівок халькогенідів свинцю. Теоретично показано можливість істотної модифікації приповерхневого шару плівок халькогенідів свинцю, поміщених у вакуумі при підвищеній темепратурі, коли при інтенсивному випаровуванні халькогену змінюється стехіометричний склад і тип провідності шару. Досліджено просторово-часовий розподіл концентрації халькогену і свинцю у приповерхневому шарі. Отримані результати чисельних розрахунків відповідають експериметальним даним по відпалу у вакуумі плівок халькогенів свинцю. Досліджено і проаналізовано вплив домішок і умов вирощування на електричні властивості елітарних плівок і кристалів халькогенів свинцю і олова; запропоновано моделі і квазіхімічні рівняння утворення дефектіву легованих талієм та індієм кристалах і плівках досліджуваних матеріалів. Запропоновано квазіхімічний опис рівноважної концентрації дефектів у електричних кристалах PbTe, PbSe, насичених свинцем і легованих талієм. Розраховано залежність рівноважної концентації дефектів та носіїв струму від технологічних факторів вирощування, ступеня відхилення від стехіометричного складу та величини легування. Визначено умови реалізації р-н-переходу. Оптимізовано технологічні режими вирощування кристалів і плівок їз заданим типом провідності, концентрацією та рухливістю носіїв струму Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити