Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0203U002659, 0103U002122 , Науково-дослідна робота Назва роботи Рентгенодифрактометричні дослідження деформаційного стану та хімічного складу шарів лазерних структур InGaAsN/GaAs Назва етапу роботи Керівник роботи Молодкін Вадим Борисович, Дата реєстрації 18-12-2003 Організація виконавець Інститут металофізики ім.Г.В.Курдюмова НАН України Опис етапу Використовуючи високороздільну рентгенівську двокристальну дифрактометрію та динамічну теорію дифракції досліджено багатошарові системи, що містять шари квантових ям типу InxGa1-xAs1-yNy. Із аналізу кривих дифракційного відбиття визначено вміст азоту в шарі квантової ями (КЯ) і буферних шарах до і після відпалу. Показано, що значне перемішування In та Ga на границі розділу відбувається ще в процесі росту шару КЯ. В результаті взаємодифузії атомів In у бар'єрний шар GaAs і атомів Ga - в КЯ розмивається границя міжшарового розділу на глибину 1,2 нм. Встановлено, що при незначних концентраціях азоту в КЯ (N<3%) і в буферних шарах (N<1%) багатошарові системи мають досить досконалу кристалічну структуру. При цьому багатошарові системи з деформаційно-компенсаційними шарами GaAs більш досконалі. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити