Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0203U008092, 0100U003337 , Науково-дослідна робота Назва роботи Контактні явища в структурах на основі складних сполук напівпровідників А3В5 Назва етапу роботи Керівник роботи Аркуша Ю.В., Дата реєстрації 22-04-2003 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження- діоди Ганна з двома активними областями та металевим катодним контактом - m-n: InP(1-x)As(x)-n:In(х)Ga(1-х)As. Діод Ганна з варизонною In(X)Ga(1-x)As активною областю, в якої склад напівпровідника лінійно залежить від координати. Мета роботи: дослідження основних фізичних явищ, отримання вольт-амперних, енергетичних та частотних характеристик діодів Ганна. Метод дослідження: математичне моделювання роботи діода Ганна на основі двох температурної модели. Основні результати та їх новизна - В діоді з антизапірним m-n контактом розповсюджуються дипольні домени тільки в -n:In(0,4)Ga(0,6)As області. В діоді з запірним m-n контактом, в залежності від прикладеного полю та довжини областей, розповсюджуються дипольні домени одночасно в двух областях. Взаємодія виникнення та дисипації доменів в різних областях сприяє до підвищення вихідної потужності та ККД діодів. Показано, що при використанні таких діодів Ганна на частоті приблизно 42ГГц поток вихідної потужності досягає приблизно 40 кВт/см2 при ККД приблизно равным 20%. - Розроблена двохтемпературна модель міждолинного переносу електронів (МПЕ) у діодах Ганна на основі варизонних напівпровідників. - Основним фактором, який встановлює роботу діода Ганна на основі варизонного InGaAs, є залежність від координати частоти релаксації концентрації електронів. Дипольні домени у діоді з омічним n + - n катодним контактом виникають тільки тоді, коли названа частота зменшується від катоду до аноду. Це відбувається, коли процентна частка InAs в InGaAs збільшується від катоду до аноду. Мінімальна критична довжина активної області складає приблизно 0,6 мкм. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Аркуша Ю.В.. Контактні явища в структурах на основі складних сполук напівпровідників А3В5. (Етап: ). Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна. № 0203U008092
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17