Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0203U008093, 0100U003360 , Науково-дослідна робота Назва роботи Нові твердотільні активні елементи для генерації в мм- діапазоні Назва етапу роботи Керівник роботи Прохоров Е., Дата реєстрації 22-04-2003 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження - нові твердотілі активні елементи на основі квантово-розмірних структур метал-діелектрик -напівпровідник (МДН) з міждолинним переносом електронів(МПЕ) та широкосмугові коаксіально- хвилеводні GaAs - генератори мм-діапазону. Мета роботи - дослідження фізичних процесів в квантово-розмірних структурах МДН та структурах з МПЕ з метою створення нових активних елементів для генераторів мм - та субмм -діапазонів; експериментальне дослідження генераторів мм -діапазону на GaAs - діодах Ганна з коаксіально-хвилеводним резонатором з метою розширення смуги перестроювання частоти більше 20 ГГц і створення широкосмугових GaAs - генераторів мм - та субмм-діапазонів. Метод дослідження - математичне моделювання фізичних процесів в діодах Ганна з квантово-розмірними структурами на основі складних сполук напівпровідників А3В5 в ролі катодного контакта; експериментальне дослідження роботи GaAs - діода Ганна в коаксіально- хвилеводному генераторі мм - діапазону. Актуальність досліджень зумовлена необхідністю створення нових напівпровідникових приладів для освоєння короткохвильової частини мм - та субмм - діапазонів. Новизна роботи - фундаментальні дослідження по створенню нових твердотілих активних елементів для мм - та субмм-діапазонів проведені вперше, на світовому рівні. Основні результати - Розроблена математична модель моделювання фізичних процесів в помножувачах частоти на резонансно-тунельних діодах (РТД) на основі складних напівпровідникових структур. Вивчений вплив сигналу складної форми та його гармонік на коефіцієнт помножування частоти РТД на основі вищезазначених складних напівпровідникових структур. Показано, що коефіцієнт перетворення частоти на цих структурах може досягати 40 ...50 % Досліджені ВАХ та ефективність роботи GaAs - діода Ганна з катодом n+GaAs-Al(0,2)Ga(0,8)As (20-28 нм) - n+GaAs. Досліджена сумісна робота однорівневих РТД з ОНОЗ-діодом та РТД з діодом Ганна. Показано, що при сумісній роботі таких діодів виникають 2 зони генерації:перша зона - за рахунок тунелювання і друга зона - за рахунок міждолинного переносу електронів, що дозволяє отримати ефективність генерації від 6 до 30 % в залежності від структури діода. Досліджена робота діода Ганна з резонансно-тунельним катодом та показано, що в зонах генерації такого діода можливе отримання ефективності генерації приблизно 15-20 %. Експериментально досліджені енергетичні та частотні характеристики широкосмугових хвилеводно-коаксіальних GaAs -генераторів мм -діапазону. Показана можливість ефективної роботи у широкій смузі частот в розробленому коаксіально- хвилеводному резонаторі (від 44 до 67 ГГц) та можливість розширення частотного діапазону роботи приблизно вдвічі. Результати виконаної роботи нові, отримані вперше, відповідають світовому рівню. Результати НДР можуть бути впроваджені на підприємствах - розробниках напівпровідникових приладів та виробництво. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити