Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0203U008646, 0101U002050 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження формування епітаксійних плівок дисиліциду кобальту на кремнії. Назва етапу роботи Керівник роботи Макогон Юрій Миколайович, Дата реєстрації 19-12-2003 Організація виконавець Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" Опис етапу За допомогою комплексно застосованих сучасних методів фізичного матеріалознавства - рентгенофазового аналізу, Оже-електронної спектроскопії, вторинно-йоної мас-спектрометрії, рентгеноструктурного, резистометрічного аналізів, методів рентгенотензометрії і просвічуючої електронної мікроскопії встановлені закономірності формування епітаксійних плівок CoSi2 на монокристальній пластині кремнію. У роботі вирішена задача формування епітаксійних плівок CoSi2 на монокристалевому кремнії орієнтації (100) з використанням комбінації методів ТІМЕ (епітаксія з проміжним шаром Ti) і ОМЕ (епітаксія з проміжним шаром оксиду) у високому вакуумі (10-4-10-5Па). В роботі запропоновані режими термічної обробки та оптимальні товщини шарів Ті та SiО2, які обумовлюють формування шару потрійної сполуки Со-Ті-Si, що виконує функцію "дифузійної мембрани" і контролює процес масопереносу атомів кобальта та кремнію для росту епітаксійної плівки CoSi2. В тонкоплівковій системі Со(19,3нм)/Ti(4,7нм)/SiО2(1,91нм)/Si(100) термічна обробка при 1100К, 30с в атмосфері проточного азоту приводить до формування епітаксійної плівки CoSi2 товщиною порядка 60нм. Термостабільність сформованної епітаксійної плівки CoSi2 на Si(100) зберігається в інтервалі 1000-1300 К. Плівки мають металевий тип провідності, електроопір дорівнює 15 мкОм.см. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити