Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0203U008647, 0102U000798 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження квантових осциляційних явищ та особливостей електронної будови, а також міжшарових взаємодій у багатошарових наноструктурах перехідний метал-кремній методами експериментальної та теоретичної магнітооптичної та оптичної спектроскопії Назва етапу роботи Керівник роботи Макогон Юрій Миколайович, Дата реєстрації 19-12-2003 Організація виконавець Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут", Фізико-технічний інститут Опис етапу Встановлено, що розмірний фактор в багатошарових нанорозмірних плівкових системах Fe/Si/Fe/Si/...приводить до суттєвої залежності характеру магнітної взаємодії між шарами заліза від номінальної товщини шарів кремнію. При збільшенні номінальної товщини шарів кремнію від 1 нм до 2 нм взаємодія між шарами заліза змінюється з феромагнітної на антиферомагнітну і знову на ферромагнітну. Максимальна антиферомагнітна взаємодія між шарами заліза в багатошарових плівках спостерігається при номінальній товщині кремнію 1,3-1,5 нм. Антіферомагнітну взаємодію між шарами заліза забезпечує метастабільна фаза FeSi, яка спонтанно формується при осадженні шарів і має металеву провідність. Нові енергетичні рівні в енергетичному спектрі електронів, так звані квантови ями, не знайшли свого відображення в оптичних та магнітооптичних властивостях багатошарових плівок Fe/Si. Нанорозмірні плівкови системи Ni/Si/Ni/Si... та Co/Si/Co/Si.. демонстрували суперпарамагнітні властивості, що пов"язується з утворенням силіцидів NiSi абоCo2Si, відповідно. В багатошарових плівках Fe/Si/Fe/Si/... антіферомагнетизм спостерігається при tSi=1,3-1,5 нм, а багатошарові плівки Ni/Si/Ni/Si...та Co/Si/Co/Si...при tSi=5,0-10 нм демонструють суперпарамагнітні властивості. Процеси силіцидоутворення в системі Co/Ni/Si(100) з однаковою товщиною шарів нікелю та кобальту при вакуумному пічному відпалі починаються на 100 К раніше (при 670 К), як в системі Ni/Si. В системі Co/Ni/Si при ориєнтаціях кремнієвої підкладки (100) та (111) фаза NiSi2 утворюється на 150 К раніше (при 870 К), ніж у системі Ni/Si. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити