Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0204U000015, 0101U006100 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження явищ люмінесценціі та електричної пам'яті в діелектричних шарах SiO2, які мають нанокластери Si/Ge Назва етапу роботи Керівник роботи Лисенко Володимір Сергійович, Дата реєстрації 09-01-2004 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження -світловипромінюючі прилади Мета проекту: Вивчення транспорту заряду і механізмів інжекції і нагромадження заряду в двоокисі кремнію, що містить у собі нанокластеры Sі і Ge. та оптимізація технології одержання електролюмінесцентних приладів, виготовлених на базі систем Sі-Sі02 з нановключеннями кремнію і германію. Метод дослідження: аналіз вольт - амперних, вольт - ємнісних і електролюмінесцентних характеристик, комп'ютерна апроксимація даних. Визначені основні параметри пасток (перетин захоплення, ефективна концентрація пасток), локалізованих у двоокисі кремнію, імплантованої германієм або кремнієм, і їхньої зміни в залежності від режимів відпалу. Комплексні структурні, електричні й оптоелектронні дослідження МОН світловипромінюючих приладів з окислами, збагаченими нанокластерами Ge дозволили знайти оптимальні режими для виробництва світловипромінюючих приладів на основі Sі в синьо-фіолетовій області спектра. Показано, що низькотемпературна обробка у високочастотній водневій плазмі є дуже ефективною технологією для збільшення електричної стабільності світловипромінюючих приладів. Ключові слова: нанокластер, кремній, двоокис кремнію, іонна імплантація, германій, кремній, вольт - амперні характеристики, електролюмінесценція, воднева плазма. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити