Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0204U000106, 0198U003508 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології вирощування досконалих кристалів дифосфідів кадмію та цинку і створення елементів лазерної техніки на їх основі Назва етапу роботи Керівник роботи Фекешгазі І.В., Дата реєстрації 15-01-2004 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об"єктом досліджень є дифосфіди кадмію та цинку, з яких виготовлені дослідні зразки коректорів інтенсивності поля випромінювання та подовжукачі тривалості імпульсів генерації лазерів. Мета роботи-на основі вирощування білоруською стороною кристалів дифофідів кабмію та цинку розробити конструкці, виготовити дослідні зразки стабілізаторів просторово-часового розподілу поля лазерного випромінювання і елементів подовження тривалості імпульсів генерації твердотілих лазерів та встановити їх експлуатаційні параметри: синтезувати структури просвітлюючих покриттів та розробити технології їх осадження на просторово-часовому розподілу поля і подовжувачів тривалості імпульсів генерації. а також виміряти їх технічні дані Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити