Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0204U000366, 0102U000046 , Науково-дослідна робота Назва роботи Світловипромінюючі наноструктури видимого та середнього ІЧ діапазонів: МПЕ вирощування та дослідження структурних, електрооптичних і деградаційних характеристик Назва етапу роботи Керівник роботи Лисиця Михайло Павлович, Дата реєстрації 02-02-2004 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Звіт про НДР: 32 с., 12 рис., 10 джерел. Об'єкт дослідження - створені методом молекулярно-пучкової епітаксії квантові ями та надгратки на основі CdSe/ZnSe, InAs/GaSb, InAs/AlSb, GaAs/AlAs. Мета роботи - комплексні технологічні, структурні і оптичні дослідження приладо-орієнтованних гетероструктур та надграток з набором надтонких шарів на основі напівпровідників А2В6 та А3В5 з метою розробки оригінальних фізичних концепцій і пошуку методів удосконалення технології та отримання. Метод дослідження - резонансне комбінаційне розсіювання світала, фотолюмінесценція, поляризаційні методи дослідження оптичної якості кристалів, нелінійна оптика і лазерна спектроскопія. Етап 1. Дослідження механізму самоорганізації і взаємозв'язку структурних і оптичних (фотолюмінесценція і комбінаційне розсіювання світла) властивостей квантових структур CdSe/ZnSe для номінальних товщин епітаксійних шарів у діапазоні 0,5 - 3,15 ML. Етап 2. Вивчення ролі прошарку BeSe на дефектоутворення, густину, компонентний склад і розміри квантових острівців в системі CdSe/ZnSe. Взаємозв'язок структурних і випромінювальних властивостей квантових структур в системі (In,Ga,Al,)As. Магнітолюмінесцентні і еліпсометричні дослідження квантових структур. Розробка оптичної мікродіагностики лазерних наноструктур на основі сполук A2B6 і A3B5. Методом комбінаційного розсіювання світла досліджено ефекти розмірного квантування у фононних спектрах напівпровідникових структур А2В6 та А3В5; оцінено компонентний склад, величину деформацій і напружень, величину енергії зв'язку екситону; встановлено фізичний механізм антистоксової фотолюмінесценції та антистоксового КРС в гетероструктурах CdSe/ZnSe; на основі фононних та змішаних плазмон-фононних мод в спектрах КРС досліджено динаміку зміни напружень, структурної якості, концентрації та рухливості електронів в InAs/GaSb і InAs/AlSb квантових ямах. Ключові слова: Молекулярно-променева епітаксія, гетероструктури, квантові ями, квантові точки, спектроскопія, фотолюмінесценція, комбінаційне розсіювання світла. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити