Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0204U000871, 0103U007742 , Науково-дослідна робота Назва роботи Механізми формування термоелектричних властивостей у низьковимірних структурах на основі сполук IV-VI та розробка матеріалів з високою добротністю Назва етапу роботи Керівник роботи Рогачова Олена Іванівна, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 01-03-2004 Організація виконавець Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут" Опис етапу Проведено теоретичне та експериментальне дослідження впливу різних факторів на кристалічну структуру, термоелектричні параметри і термоелектричну ефективність тонкоплівкових структур на основі сполук IV-VI і вісмуту. Видані рекомендації по оптимізації параметрів тонкоплівкових структур з метою одержання високоефективних термоелектричних матеріалів. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Механізми формування термоелектричних властивостей у низьковимірних структурах на основі сполук IV-VI та розробка матеріалів з високою добротністю
Керівник: Рогачова Олена Іванівна. Механізми формування термоелектричних властивостей у низьковимірних структурах на основі сполук IV-VI та розробка матеріалів з високою добротністю. (Етап: ). Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут". № 0204U000871
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-19


Роздрукувати цю сторінку