Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0204U003008, 0103U004861 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вивчення структури і електрофізичних властивостей монокристалів Si, вирощених методом електронно-променевої зонної плавки (ЕПБЗП) Назва етапу роботи Керівник роботи Баранський Петро Івановиич, Дата реєстрації 16-01-2004 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Отримана нова наукова інформація про найбільш важливі електрофізичні параметри (такі як питомий опір, концентрацію носіїв і їх рухливості) і структурну досконалість кристалів Si, вирощених за різних технологічних умов методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Вивчення структури і електрофізичних властивостей монокристалів Si, вирощених методом електронно-променевої зонної плавки (ЕПБЗП)
Керівник: Баранський Петро Івановиич. Вивчення структури і електрофізичних властивостей монокристалів Si, вирощених методом електронно-променевої зонної плавки (ЕПБЗП). (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0204U003008
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-23


Роздрукувати цю сторінку