Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0204U003234, 0102U001168 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізико-технологічні основи лазерної епітаксії тонкоплівкових гетероструктур на основі сполук АIIВVI для інфрачервоної фотоелектроніки нового покоління. Назва етапу роботи Керівник роботи Лопатинський Іван Євстахович, Дата реєстрації 19-02-2004 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис етапу Методом імпульсного лазерного осадження отримано плівки CdHgTe на різних підкладках. Методами дифракції електронів високих енергій (ДЕВЕ), трансмісійної електронної мікроскопії (ТЕМ) та растрової електронної мікроскопії (РЕМ) досліджено початкові стадії росту плівок. Проаналізовані можливі причини двійникування в плівках. Методами ДЕВЕВ та РЕМ досліджено структуру та морфологію плівок CdHgTe, вирощених методом молекулярно-променевої епітаксії на підкладках Si та GaAs. Досліджено деякі механічні властивості ЕП, пружні властивості меж поділу та характеристики дислокацій невідповідності. Досліджено електрофізичні та фотоелектричні властивості плівок. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити