Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0204U003256, 0102U001191 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка та дослідження комплекснолегованих напівпровідникових матеріалів А3В5 для створення радіаційностійких мікросенсорів Назва етапу роботи Керівник роботи Матковський А. О., Дата реєстрації 20-02-2004 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис етапу Досліджено мікрокристали антимоніду індію, вирощені методом ХТР та леговані в процесі вирощування домішками Ge, Si, Bi та домішковими комплексами <Ge:Te>, <Sn:Bi>. Вибір оптимальних технологічних умов вирощування зроблений на основі термодинамічних розрахунків фізико-хімічних процесів. Досліджені морфологічні та електрофізичні особливості вирощених мікрокристалів при простому легуванні, проведені розрахунки кінетичних параметрів росту кристалів InSb<Bi>. Визначені оптимальні співвідношення легуючих компонентів для одержання мікрокристалів InSb з електрофізичними параметрами, стабільними в екстремальних умовах експлуатації. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити