Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0204U003382, 0101U000411 , Науково-дослідна робота Назва роботи Особливості формування радіаційних дефектів в напівпровідниках з нейтральними домішками та попередньо опромінених. Назва етапу роботи Керівник роботи Литовченко Петро Григорович, Дата реєстрації 15-03-2004 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис етапу Показано, що підвищення радіаційної стійкості Si і приладів на його основі можливе шляхом попереднього опромінення матеріалу з відповідним термовідпалом; при цьому створюються ефективні стоки для первинних радіаційних дефектів і домішок. Виявлено тонку структуру вольт-амперних характеристик гамма-опромінених світлодіодів GaP в області температур, нижчих за 90К. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити