Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0204U003767, 0101U008014 , Науково-дослідна робота Назва роботи Високотемпературні надпровідні міжз'єднання для НВІС Назва етапу роботи Керівник роботи Гойса Сергій Миколайович, Дата реєстрації 23-04-2004 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Визначено механізм росту багатошарової плівки Сo на поверхні Si(100). Досліджено теоретично та експериментально ріст шару силіциду на підкладці з пористого кремнію. Встановлено, що пошаровий метод формування товстої плівки силіциду дає найбільшу щільність зерен силіциду та гладкість зовнішньої поверхні. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити